华新社财经观察（记者 刘炼）在人工智能（AI）浪潮的强力驱动下，全球存储芯片市场正迎来一场前所未有的“超级周期”。5月份，全球DRAM和NAND闪存商品价格双双创下历史新高。据市场研究机构DRAMeXchange数据，PC用DDR4 8Gb内存均价达20美元，较4月上涨25%，创下该机构自2016年6月追踪以来的最高纪录。
供需失衡加剧，原厂议价能力飙升
AI与数据中心需求的持续爆发，正在重塑传统存储芯片行业的周期性特征。TrendForce集邦咨询6月3日发布的最新调查显示，全球存储器供需失衡加剧，原厂议价能力有增无减。据此，机构全面上修了2026年第一季度各产品价格涨幅：整体Conventional DRAM合约价季涨幅从预期的55%-60%大幅上调至90%-95%；NAND Flash合约价季涨幅则从33%-38%上调至55%-60%，且不排除仍有进一步上修空间。
从宏观出口数据来看，这一轮涨价潮的威力可见一斑。今年一季度，我国存储器产品出口额达459.9亿美元，同比激增174.2%。有业内人士透露，与2025年3月相比，部分存储器价格已暴涨近十倍甚至十几倍。
三大巨头业绩“炸裂”，集体迈入“万亿俱乐部”
受益于史无前例的涨价潮，全球存储巨头的财报表现堪称“炸裂”。
三星电子：2026年第一财季合并营业利润约57.2万亿韩元（约合2608.32亿元人民币），同比飙升755%，创下近年同比增幅新高，盈利规模连续两个季度高速攀升。
SK海力士：一季度营收首次冲破50万亿韩元大关，同比增长198%；营业利润达37.6万亿韩元，同比增长405%，营业利润率高达惊人的72%。
美光科技：截至2026年2月26日的财年第二季度，营收达238.6亿美元，同比增长196%；净利润更是同比暴涨770.8%至137.9亿美元，创下历史新高。
在强劲业绩与AI热潮的双重推动下，资本市场对存储板块展现出狂热情绪。今年以来，三星电子、SK海力士和美光科技的股价涨幅均超过200%。上周，SK海力士市值首次突破1万亿美元大关，与三星电子、美光科技一同正式跻身“万亿市值俱乐部”。
HBM赛道成核心引擎，主题ETF规模破150亿美元
在这场存储盛宴中，高带宽内存（HBM）作为AI芯片的关键组件，成为各大巨头争夺的核心阵地。Counterpoint Research数据显示，作为英伟达核心供应商，SK海力士在今年第一季度占据了全球HBM市场58%的份额，三星和美光各占21%。
伴随板块的持续飙涨，相关主题基金也迎来了爆发式增长。全球首只纯内存芯片主题ETF——Roundhill Memory ETF（DRAM）上市仅27个交易日，规模便突破65亿美元，超越了贝莱德比特币ETF此前的纪录。目前，该ETF规模已突破150亿美元，自上市以来涨幅超过150%，其前十大重仓股全面覆盖了SK海力士、三星电子、美光科技等全球存储龙头。市场正用“真金白银”确认存储芯片在AI时代的核心战略地位。
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