三星NAND闪存价格暴涨超100%,存储芯片“超级周期”全面开启

华新社韩国电(记者 黄世雄)据韩国《电子时报》1月25日报道,三星电子已将2026年第一季度NAND闪存的合约供货价格上调逾100%,远超市场此前预期。这一激进提价标志着全球存储芯片市场正加速进入由人工智能(AI)驱动的“超级周期”。
目前,三星已启动与客户就第二季度NAND价格的新一轮谈判,市场普遍预计涨价势头将持续。业内分析指出,此轮价格飙升并非孤立事件,而是供需严重失衡下的系统性反应。
供需错配催生“有价无货”局面
过去一年,NAND闪存领域未见大规模产能扩张。主要厂商如三星、SK海力士等在资本开支上保持审慎,导致供给增长极为有限。而需求端却因AI浪潮呈现爆发式增长:
数据中心加速部署企业级固态硬盘(eSSD),单台AI服务器所需存储容量可达传统服务器的数倍;
“端侧AI”推动智能手机、PC向高容量存储升级,进一步拉高消费级NAND需求。
市场调研机构TrendForce此前预测,2025年第四季度NAND价格涨幅为33%–38%,并预计2026年一季度维持类似升幅。但三星实际提价幅度翻倍,凸显头部厂商对市场主导权的强势掌控。
除三星外,全球第二大NAND厂商SK海力士也采取相似策略。野村证券披露,就连市占率第五的SanDisk(西部数据旗下)亦计划将企业级3D NAND价格上调约100%。全行业协同提价已成定局。
产能售罄,短缺或将延续至2027年
日本存储巨头铠侠(Kioxia)近日证实,其2026年全年NAND闪存产能已全部售罄。作为全球第三大NAND供应商,铠侠正全力提升面向AI场景的高性能存储产品,但这一战略重心转移也推高了消费级产品的价格。
铠侠存储器事业部执行董事中户俊介(Shunsuke Nakato)表示,受AI投资持续拉动,NAND供应紧张局面至少将延续至2027年。为避免市场失序,公司正与长期合作伙伴协调年度产能分配,而非单纯按出价高低分配资源。
机构集体上调价格预期
华尔街投行纷纷上调对2026年存储芯片价格的预测。花旗分析师Peter Lee团队最新报告指出,DRAM与NAND闪存的平均售价(ASP)预计将分别上涨88%和74%,显著高于此前预估的53%和44%。
摩根士丹利与美国银行研究团队亦认为,本轮“存储超级周期”的强度与持续时间将远超2018年云计算驱动的上一轮景气高峰。野村证券判断,真正具有规模效应的新增产能最早要到2028年初才能释放,意味着当前短缺格局难以短期缓解。
涨价压力向终端传导
存储成本激增正逐步传导至消费端。行业观察人士指出,智能手机、PC制造商已开始评估提价方案以应对内存成本上升。与此同时,部分数据中心客户被迫推迟扩容计划或重新谈判采购条款。
市场关注焦点将转向下周四(1月29日),三星电子与SK海力士将同步发布2025年第四季度财报,其对2026年供需展望及资本开支指引,将成为判断本轮周期持续性的关键信号。

華文財經新聞社聯合報道。发布者:总编,转载请注明出处:https://huaxinnews.com/6074.html

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Comments(1)

  • 黄世雄的头像
    黄世雄 2026年1月26日 下午5:16

    成本承压:1TB TLC晶圆价格较去年三季度已暴涨184.1%。受此影响,部分新款手机如一加Turbo 6V被迫回归8GB内存配置以维持价格点位,1TB超大容量版本也在新机中减少出现。
    持续性预判:三星已开启第二季度价格谈判,市场普遍认为涨势将贯穿全年,供应紧张局面可能至少持续到2027年。
    存储市场的逻辑已从“季节性补库存”转向“结构性紧缺”,如果你计划近期升级PC或购买大容量存储设备,建议在价格进一步传导至零售端前及早决策